Journal

The Characteristic of TMG adsorption on the Si(100)(2?1) surface in atomic layer deposition (ALD): Computational prediction of Si9H12O2GaCH3 structure
NU. International Journal of Science (ISSN: 26975599)
16
2
1-10
ธันวาคม 2019
ชาติ
-
-
-
-

Author

Output From Project

การศึกษาพฤติกรรมเชิงทฤษฎีและการทดลองของไตรเมททิลแกเลี่ยมในสถานะแก๊สและสถานะการดูดซับบนผิวซิลิกอนในกระบวนการอะตอมมิกซ์เลเยอร์ ดีพอซิชั่น