Journal

Characterization of N-type and P-type Aluminum Antimonides on Sisubstrates for room-temperature optoelectronic devices
Materials Science in Semiconductor Processing (ISSN: 13698001)
88
2018
224-233
สิงหาคม 2018
นานาชาติ
-
-
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2018.08.007
-

Author

Output From Project

การสังเคราะห์และวิเคราะห์สมบัติของฟิล์มบิสมัทเฟร์ไรต์เจือด้วยโคบอลต์เตรียมด้วยเทคนิคสปัตเตอริงบนฐานรองแก้วและซิลิกอน