Journal

Growth kinetics for temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using trimethylgallium and remote-plasma-excited NH3
Applied Surface Science (ISSN: 01694332)
357
N
1920-1927
ธันวาคม 2015
นานาชาติ
-
-
10.1016/j.apsusc.2015.09.138
-

Author