Journal

Article
Growth kinetics for temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using trimethylgallium and remote-plasma-excited NH3
Journal
Applied Surface Science (ISSN: 01694332)
Volume
357
Issue
N
Year
ธันวาคม 2015
Page
1920-1927
Class
นานาชาติ
DOI
10.1016/j.apsusc.2015.09.138
Related Link
-