Exact Phrase
All Words
Login
ไทย
|
English
Conference
desc:
Article
Modeling and Simulation of Junction Temperature Rise of GaN Devices for Class D Resonant Converters
Conference
2016 International Electrical Engineering Congress (iEECON 2016)
Class
นานาชาติ
Date
2 - 4 มีนาคม 2016
Location
เชียงใหม่ ประเทศไทย
DOI
http://dx.doi.org/10.1016/j.procs.2016.05.102
Related Link
-
Author
ดร.นิธิพัฒน์ ทีรฆวณิช, ผู้ช่วยศาสตราจารย์
(
ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า
)
ดร.ศิวพล ศรีสนพันธุ์, รองศาสตราจารย์
(
ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า
)
Pongpol Ongrungroj
Nawaporn Tangjitchutchawal
Output From Project
การประยุกต์ใช้งาน GaN FET ในวงจรอิเล็กทรอนิกส์กำลังความถี่สูง
แสดงความคิดเห็น
(0)
Show all comment