Journal

Article

Theoretical investigation of a low-voltage Ge/SiGe multiple quantum wells optical modulator operating at 1310 nm integrated with Si3N4 waveguides

Journal

AIP Advances (ISSN: 21583226)

Volume

8(11)

Issue

115318

Year

พฤศจิกายน 2018

Page

115318-1-115318-7

Class

นานาชาติ

DOI

10.1063/1.5064701

Related Link

-

Author

Output From Project

การพัฒนาชิปเซนเซอร์ชนิดใช้แสงอินฟาเรดช่วงคลื่นกลางบนสารกึ่งตัวนำซิลิกอนเจอมาเนียม